PKB/AKT与脑缺血神经细胞凋亡的研究 |
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引用本文:王志敏,杨玉欣,孙丽红,李雪娟,石永丽,郭庆章.PKB/AKT与脑缺血神经细胞凋亡的研究[J].医学研究杂志,2008,(7): |
DOI:
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王志敏 杨玉欣 孙丽红 李雪娟 石永丽 郭庆章 |
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中文摘要:目的 研究AKT在脑缺血再灌注后损伤神经元中的表达情况.方法 采用大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤模型,大脑中动脉阻塞2h.共分为常温对照、亚低温处理两大组,每组分别12例,再灌注时间段分别为2h、12h、24h、72h,每时间段各3例,共24例,进行免疫组化染色,检测AKT的表达情况.结果 常温对照组模型再灌注2h后AKT即有表达,72h达高峰.亚低温处理组AKT表达阳性细胞数与常温对照组相应时间点相比,表达有所增高.结论 脑缺血再灌注可诱导AKT表达,亚低温预处理可促进AKT表达,AKT表达可能是脑缺血再灌注保护途径之一. |
中文关键词:亚低温 脑缺血再灌注 |
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Research of Mild Hypothermia on Expression of AKT after Hypoxia-Ischemia Brain Damage. |
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keywords:AKT |
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